Dostawa zestawu składającego się z: 1) systemu wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie, oraz z 2) systemu wytwarzania podłoży do nanotechnologii i elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną wraz ze sprzętem uzupełniającym oraz zamontowaniem we wskazanym przez zamawiającego pomieszczeniu, uruchomieniem systemu i przeszkoleniem personelu w zakresie eksploatacji
Przedmiotem zamówienia jest dostawa zestawu wytwarzania pokryć dielektrycznych i podłoży do nanotechnologii, zwanego dalej „zestawem”, do składającego się z:
— systemu wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie (zwanego dalej systemem DOD) oraz z,
— systemu wytwarzania podłoży do nanotechnologii i elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną (zwanego dalej systemem NanoLC) ze sprzętem uzupełniającym wraz zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem personelu we wskazanych przez Zamawiającego pomieszczeniu.
System DOD: Kompletny system wytwarzania pokryć dielektrycznych, ochronnych i warstw dopasowujących optycznie z układem kontroli parametrów osadzanych warstw i skomputeryzowanym systemem kontroli procesu nakładania warstw oraz odpowiednim oprogramowaniem wraz z zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem.
System powinien zapewniać możliwość osadzania warstw dielektrycznych, ochronnych (SiO2, ZnO, ITO, itp.) oraz warstw dopasowujących optycznie (warstw twardych i warstw miękkich) na elementach z różnych materiałów stosowanych w technice optycznej, podczerwieni i UV m.in. na szkle, germanie (Ga), krzemie i szkle kwarcowym (Si, Suprasil®, JG3® lub równoważnym), selenku cynku (ZnSe), fluorku wapnia (CaF2), szkłach germanowych (np. Amtir®, Gasir® lub równoważnych).
System powinna charakteryzować zwarta budowa i powinien zawierać min. następujące elementy o niżej wymienionych parametrach.
1. Komora procesowa z drzwiami próżniowymi umożliwiająca jednoczesne załadowanie i naparowanie warstw na próbki o wymiarach przynajmniej 75 x75 mm, ogrzewane do kontrolowanej temperatury do 300 C, z jednorodnością pokrycia powierzchni minimum 50 x 50 mm lepszą niż 5 % w ilości jednorazowo min. 4 szt. Komora powinna zawierać przyłącza do jednoczesnego zainstalowania min. 2 naparowarek z bombardowaniem elektronowym, źródła jonów, manipulatora, wag kwarcowych, układu pomiaru grubości osadzanych warstw i innego wyposażenia niezbędnego do wykonania podłoży w procesie automatycznym i manualnym, a także min., okien obserwacyjnych z przesłonami.
2. Kompletny, bezolejowy system pompowy z pompą turbomolekularną i pompą próżni wstępnej, zestaw zaworów śluzowych, elektromagnetycznych bezpieczeństwa i zapowietrzających (w tym z możliwością zagazowania azotem), systemem komputerowym sterujący i monitorujący pracę pomp i zaworów oraz minimum dwukanałowy układ pomiaru i monitorowania próżni. System powinien umożliwiać pracę przy dozowaniu gazów reaktywnych i gazów dla źródła jonów. System powinien być wyposażony w ten sposób by był odporny na chwilowy zanik napięcia w sieci zasilającej, wyłączenie wody chłodzącej i itp. Gwarantowana próżnia bazowa
< 210-7 mbara, osiągalna po maksimum 24 godz. od zapowietrzenia komory. Próżnia 10-6 mbara osiągalna po 20 minutach od zapowietrzenia komory.
3. Układ pomiaru próżni procesowej pracujący w warunkach osadzania warstw i układ pomiaru próżni wstępnej. Pomiar próżni w zakresie od 1000 mbarów do
1,0 10-7 mbara. Dokładność pomiarów 10 % w zakresie do 1 mbara oraz 15 % w pozostałych zakresach.
4. Manipulator komory procesowej umożliwiający mocowanie i zmianę położenia do 4 podłoży o dowolnym kształcie, mieszczących się w kwadracie o boku 75 mm. Zakresy ruchu podłoży we wszystkich kierunkach dostosowane do warunków prowadzenia procesu umożliwiającego uzyskanie jednorodnego pokrycia nakładanymi warstwami na powierzchni wszystkich podłoży w kwadracie minimum 50 x 50 mm w tym moduł ruchu pionowego podłoży, umożliwiający przemieszczanie podłoży w zakresie minimum 50 mm. Uchwyty podłoży z obrotem. Manipulator przystosowany do pracy w warunkach grzania podłoży do temp. 300 C.
5. Moduł grzania komory procesowej umożliwiający grzanie podłoży do 300 C.
6. Układ oświetlenia komory procesowej,
7. Uchwyty wszystkich podłoży, minimum 1 zestaw,
8. Kompletny układ wygrzewania komory procesowej, jednostrefowy, z izolowanym blatem, i mikroprocesorowym układem sterowania umożliwiającym automatyczny przebieg procesu. Zamawiający dopuszcza zaoferowanie sytemu bez wygrzewania komory procesowej o ile brak tego układu nie wpływa na funkcjonalność ani parametry oferowanego systemu, tj. przede wszystkim nie wpłynie na czas osiągania próżni roboczej i jeżeli nie stoi to w kolizji z wymaganiem, które dotyczy wygrzewania wszystkich podłoży oraz utrzymania tych podłoży w stałej, arbitralnie regulowanej i ściśle kontrolowanej temperaturze.
9. Kompletny stelaż systemu stanowiska z kołami transportowymi, układem poziomowania, płytami osłonowymi itp.,
10. Układ chłodzenia systemu o parametrach zapewniających bezawaryjna pracę systemu. Układ powinien być dostarczony z oprzyrządowaniem i wyposażeniem oraz zamkniętym obiegiem cieczy chłodzącej, monitorowaniem poziomu i temperatury wody chłodzącej i systemem awaryjnego ostrzegania o zakłóceniach pracy układu. Układ powinien być zintegrowany z układem kontrolno-sterującym.
11. Minimum 2 naparowarki z bombardowaniem elektronowym z dodatkowym wyposażeniem, umożliwiająca naparowanie warstw o jednorodności lepszej niż 5 % na pow. obejmującej kwadrat minimum 50 x 50 mm na każdym z podłoży, moc min. 5 kW, prąd min. 750 mA, z odpowiednimi zasilaczami, sterownikami prądu katody przesłonami, tyglami (min. 4 szt.), układami chłodzenia, z cyfrowymi, programowalnymi układami odchylania wiązki elektronów i innym niezbędnym wyposażeniem. Wymagana jest możliwość jednoczesnego parowania materiałów z obu dział elektronowych. System powinien być wyposażony w 2 niezależne przysłony z możliwością jednoczesnego otwarcia (jak i otwarcia tylko jednej przysłony) oraz 2 komplety blach osłonowych. Wymagana jest możliwość pracy ciągłej w atmosferze tlenowej i gazów inertnych (przy dozowaniu gazów w trybie automatycznym i ręcznym w ilościach do 8 [cm3/s]). Wymagana jest maska zapewniająca jednorodność naparowania zamontowana poniżej systemów planetarnych. Zapasowe katody, 10 szt., Tygle z 4-ma obracanymi kieszeniami o pojemności min. 4 [cm3]. Dopuszczalny wariant: 1 tygiel 6-cio pozycyjny, z dwoma wyrzutniami elektronowymi, poj. gniazda rzędu 7 cm3. 2 działa elektronowe od 5 kW lub 10 kW. Wymagane materiały eksploatacyjne:
Materiał ziarnistość czystość waga.
ITO 1/8"--1/4" 99.99 % 200g.
MgF2 3-6 [mm] 99.80 % 200g.
ZnS 3-12 [mm] 99.99 % 200g.
SiO2 3-12 [mm] 99.99 % 200g.
Al2O3 3-6 [mm] 99.99 % 100g.
Ta2O5 3-6 [mm] 99.90 % 75g.
Al. 1/8"--1/4" 99.99 % 100g.
Cr 1-6 [mm] 99.99 % 100g.
Au drut śr. 1 [mm] 99.98 % 20g.
Ind 1/8"śr-1/8"dł 99.99 % 200g.
12. Kompletny, 2 kanałowy układ pomiaru grubości i szybkości nakładania warstw na bazie wag kwarcowych, z 2-ma głowicami, z przesłonami i manipulatorami
— działającym przy częstotliwości od 4 do 6 MHz,
— z regulowanym czasem pomiaru od 0,1 do 2 sekund,
— ilość zapamiętanych warstw min. 60,
— podłączeniem umożliwiającym odczyt z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego,
— dodatkowo kryształy pomiarowe - nie mniej niż 30 sztuk.
13. Kompletny układ minimum 2 sterowanych regulatorów przepływu gazów z zaworami odcinającymi, umożliwiający pracę z dwoma rożnymi gazami (spośród takich gazów jak Ar, He, O2, N2) o czystości klasy 6N z odpowiedni nimi układami automatyki sterującej zapewniającymi sterowanie i monitoring przepływu gazów. Każde z doprowadzeń do regulatora przepływu gazu powinno zawierać trójnik umożliwiający podłączenie dwóch źródeł gazu, które można alternatywnie wykorzystywać w procesie nakładania warstw.
14. Kompletne źródło jonów wraz z odpowiednim zasilaczem i układem sterującym dedykowane do nakładania warstw wspomaganego strumieniem jonów (ang. Ion Assistant Deposition) oraz czyszczenia powierzchni próbki (np. Saintech Ion Beam System ST55 lub ekwiwalentny):
— System umożliwiający pracę w modach; ciągłym, pulsacyjnym, w kontrolowanej atmosferze gazu technologicznego, czyszczenia podłoży,
— Energia wiązki jonów regulowana, w zakresie do min. 230 eV,
— Moc wiązki przynajmniej 1500 W, stabilizacja mocy lepsza niż 5 %,
— Prąd anodowy do 7A lub więcej, niepewność ustawienia prądu < 5 %,
— Źródło chłodzone wodą,
— Możliwość pracy ciągłej w atmosferze tlenowej i gazów inertnych bez konieczności wymiany anody, możliwość dozowania gazów w trybie automatycznym i ręcznym do 8 [cm3/s],
— Możliwość sterowania źródła jonów z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego w procesie automatycznego przebiegu procesu,
— Graficzny interfejs użytkownika z możliwością kontroli i sterowania parametrami pracy,
— Zestaw zapasowych katod, 10 szt.
15. Kompletny zestaw oprzyrządowania zapewniający optyczny pomiar grubości nanoszonych warstw in situ, w zakresie pojedynczej długości fali z zakresu 450 - 750nm, dokładność określenia grubości warstwy nie mniejsza niż lambda/40. Opcjonalnie układ może umożliwiać pomiar w przy wybranej długości fali z zakresu 450 nm - 1600 nm. Opcja ta jest osobno punktowana w procesie oceny oferty.
14. Kompletny komputeryzowany, automatyczny system kontroli i sterowania systemem, zapewniający programowalny, powtarzalny proces osadzania warstw i monitorowanie parametrów procesu, odporny na chwilowe wahania i zanik zewnętrznego zasilania prądem. System powinien zapewniać programowalny proces osadzania warstw, sterowany z poziomu komputera PC. Komputer wyposażony w odpowiednie systemy i układy podłączenia i komunikacji z urządzeniami, system operacyjny, oprogramowanie do obsługi aparatury, monitor lub monitory, klawiaturę i mysz, kolorową drukarkę. O ile stanowisko obsługowe systemu wyposażone w monitor nie jest zamontowany w zwartej obudowie urządzenia i stanowi jego integralną całość, to dostawca dostarczy monitor lub monitory LCD o przekątnej minimum 22 cale, odpowiedni stolik i fotel na kołach przystosowane do pracy w pomieszczeniach o podwyższonej czystości, czyli takie które nie są źródłem zanieczyszczeń lub ich nie gromadzą. Wyklucza się wykorzystanie drewna i materiałów pokryciowych z włókna). System powinien być wyposażony w przynajmniej 1 dodatkowy dysk zewnętrzny i oprogramowanie (np. Norton Ghost lub równoważny) do archiwizacji kopii bezpieczeństwa systemu operacyjnego, sterującego, danych procesowych i pomiarowych.
16. Program do obliczeń właściwości transmisyjnych i odbiciowych cienkich powłok wielowarstwowych w zakresie spektralnym od 0,3 m - 3,0 m, (np. TFCalc 3.5.15, OptiLayer Pro lub ekwiwalentny) z licencją na 2 stanowiska, w tym jedno mobilne i bazą danych o typowych materiałach stosowanych do wykonywania powłok optycznych.
17. Urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w Polsce:
— Linia energetyczna: 3 fazowa,
— Napięcie: 3 x 400V+/-10 %, AC,
— Częstotliwość: 50Hz.
System NanoLC: Kompletny system wytwarzania podłoży do nanotechnologii elementów fotonicznych z warstwą ciekłokrystaliczną z układem kontroli parametrów osadzanych warstw oraz ze skomputeryzowanym systemem kontroli procesu nakładania warstw, oprogramowaniem wraz z zamontowaniem, uruchomieniem i przeszkoleniem.
System powinien zapewniać możliwość osadzania przewodzących warstw metalicznych (złoto, chrom, miedź, aluminium itp.) i warstw tlenkowych na elementach z różnych materiałów stosowanych w technice optycznej, podczerwieni i UV; m.in. na szkle, germanie (Ga), krzemie (Si, Suprasil®, JG3® lub równowaznym), selenku cynku (ZnSe), fluorku wapnia (CaF2), szkłach germanowych (np. Amtir®, Gasir® lub równoważnych). Urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w Polsce: linia energetyczna: 3 fazowa, napięcie: 3 x 400V+/-10 %, AC, częstotliwość: 50Hz.
System powinna charakteryzować zwarta budowa i powinien zawierać min. następujące elementy o niżej wymienionych parametrach.
1. Komora procesowa z drzwiami próżniowymi umożliwiająca jednoczesne załadowanie i naparowanie warstw na próbki o wymiarach przynajmniej 75 x75 mm, ogrzewane do kontrolowanej temperatury do 300 C, z jednorodnością pokrycia powierzchni o wymiarach minimum 50 x 50 mm w ilości min. 4 szt. Komora powinna zawierać przyłącza do jednoczesnego zainstalowania min. minimum 2 źródeł magnetronowych o średnicy targetów minimum 3 cale i źródła jonów oraz manipulatorów próbek, wag kwarcowych, układu pomiaru grubości nakładanych warstw, układów naparowania termicznego, okna obserwacyjne z przesłonami, itp.
2. Kompletny, bezolejowy system pompowy z pompą turbomolekularną i pompą próżni wstępnej, zestaw zaworów śluzowych, elektromagnetycznych, bezpieczeństwa i zapowietrzających (w tym z możliwością zagazowania komory azotem), system komputerowym sterujący i monitorujący wizualizujący pracę pomp i zaworów oraz, minimum dwukanałowy, układ pomiaru i monitorowania próżni z poziomu skomputeryzowanego systemu kontrolno sterującego. System powinien być wyposażony w ten sposób by był odporny na chwilowy zanik napięcia w sieci zasilającej, wyłącznie wody chłodzącej i itp. Gwarantowana próżnia bazowa
< 210-7 mbara, osiągalna po maksimum 24 godz. od zapowietrzenia komory. Próżnia rzędu 10-6 mbara osiągalna po 20 minutach od zapowietrzenia komory.
3. Układ pomiaru próżni procesowej pracujący w warunkach osadzania warstw i układ pomiaru próżni wstępnej. Pomiar próżni w zakresie od 1000 mbarów do 1,0 10-7 mbara. Dokładność pomiarów 10 % w zakresie do 1mbara oraz 15 % w pozostałych zakresach.
Manipulator komory procesowej umożliwiający mocowanie i zmianę położenia minimum 4 podłoży o dowolnym kształcie, mieszczących się w kwadracie o boku 75 mm. Manipulator umożliwiający takie przemieszczenia podłoży, które pozwalają uzyskać jednorodne pokrycia na podłożach w kwadracie minimum 50 x 50 mm. System wyposażony w uchwyty umożliwiające obroty podłoży nad źródłami poprawiające jednorodność nanoszonych warstw. Wymagana jest regulacja odległości między podłożami a źródłami w zakresie przynajmniej 25 mm od położenia roboczego (standartowego). Manipulator przystosowany do pracy w warunkach grzania podłoży do temp. 300 C.
4. Moduł grzania komory procesowej umożliwiający grzanie podłoży do 300 C.
5. Diodowy układ oświetlenia komory procesowej.
6. Uchwyty wszystkich podłoży, minimum 1 zestaw.
7. Kompletny układ wygrzewania komory procesowej, jednostrefowy, z izolowanym blatem, i mikroprocesorowym układem sterowania umożliwiającym automatyczny przebieg procesu. Zamawiający dopuszcza zaoferowanie sytemu bez wygrzewania komory procesowej o ile brak tego układu nie wpływa na funkcjonalność ani parametry oferowanego systemu, tj. przede wszystkim nie wpłynie na czas osiągania próżni roboczej i jeżeli nie stoi to w kolizji z wymaganiem, które dotyczy wygrzewania wszystkich podłoży oraz utrzymania tych podłoży w stałej, arbitralnie regulowanej i ściśle kontrolowanej temperaturze.
8. Kompletny stelaż systemu stanowiska z kołami transportowymi, układem poziomowania, płytami osłonowymi itp.
9. Układ chłodzenia systemu o parametrach zapewniających bezawaryjna pracę systemu. Układ powinien być dostarczony z oprzyrządowaniem i wyposażeniem oraz zamkniętym obiegiem cieczy chłodzącej, monitorowaniem poziomu i temperatury wody chłodzącej i systemem awaryjnego ostrzegania o zakłóceniach pracy układu. Układ powinien być zintegrowany z układem kontrolno-sterującym.
10. Minimum 2 źródła magnetronowe o rozmiarze minimum 3 cale z wyposażeniem, zapewniające rozpylanie warstw z materiałów niemagnetycznych z przesłonami sterowanymi także z poziomu układu kontrolno-pomiarowego, minimum 2 źródła zasilania RF (moc wyjściowa min. 300 W, f = 13,56 MHz) współpracujące z komputerowym system kontrolno-sterującym oraz minimum 2 układy dopasowania (matchbox). Moc układów musi zapewniać możliwość osadzania warstw o wysokiej temperaturze topnienia. Targety chłodzone wodą, magnetrony z kominkami zapobiegającymi wzajemnemu zanieczyszczaniu się źródeł. Całość układu umożliwia nanoszenie warstw o jednorodności lepszej niż 5 % na pow. obejmującej kwadrat minimum 50 x 50 mm na każdym z podłoży. Targety o średnicy minimum 3 cale i grubości minimum 3 mm, max. 7 mm z następujących materiałów: SiO2 - 1szt., ITO – 1 szt., Cr – 1 szt., Al. – 1 szt.
11. Źródło naparowania termicznego w postaci łódki z przysłoną i ekranami i zasilaczem źródła termicznego o mocy nie mniejszej niż 2 kW, możliwość naparowania z jednej lub dwóch łódek jednocześnie. Zestaw minimum 10 łódek (w tym z wolframu i molibdenu).
12. Opcjonalnie system NanoLC wyposażony urządzenie dedykowane do czyszczenia powierzchni próbki w postaci dodatkowego źródła jonów o regulowanej energii jonów w zakresie od 0,1 keV do przynajmniej 3 keV, zapewniające czyszczenie podłoża na powierzchni (sputter cleaning) mieszczącej kwadrat 50 x 50 mm, prąd jonowy nie mniejszy niż 4 mA (Argon), gęstość prądu jonowego nie mniejsza niż 120 A/cm2, ciśnienie robocze: 10 3 – 10 6 mbar, kołnierz montażowy dostosowany do komory procesowej z odpowiednim zasilaczem wyposażonym w interfejs komunikacyjny z systemem komputerowym, zapewniającym możliwość sterowania procesem czyszczenia z poziomu systemu komputerowego, niepewność ustawienia prądu < 5 %. Opcja osobno punktowana w procesie oceny prawidłowo złożonej oferty.
13. Kompletny, 2 kanałowy układ pomiaru grubości i szybkości nakładania warstw na bazie wag kwarcowych, z dwoma głowicami, z przesłonami i manipulatorami, przystosowany do pracy w polu RF,
— działającym przy częstotliwości od 4 do 6 MHz,
— z regulowanym czasem pomiaru od 0,1 do 2 sekund,
— ilość zapamiętanych warstw min. 60,
— podłączeniem umożliwiającym odczyt z poziomu komputerowego systemu kontrolno pomiarowego,
— dodatkowo kryształy pomiarowe - nie mniej niż 30 sztuk.
15. Kompletny układ minimum 2 sterowanych regulatorów przepływu gazów z zaworami odcinającymi, umożliwiający pracę z dwoma rożnymi gazami (w tym O2) o czystości klasy 6N z odpowiednimi układami automatyki sterującej zapewniającymi sterowanie przepływu gazów z poziomu jednostki sterującej PC.
16. Kompletny komputeryzowany, automatyczny system kontroli i sterowania systemem, zapewniający programowalny proces osadzania warstw i monitorowanie parametrów procesu, odporny na chwilowe wahania i zanik zewnętrznego zasilania prądem. System powinien zapewniać programowalny proces osadzania warstw, sterowany z poziomu komputera PC. Komputer wyposażony w odpowiednie systemy i układy podłączenia i komunikacji z urządzeniami, system operacyjny, oprogramowanie do obsługi aparatury, monitor lub monitory, klawiaturę i mysz, kolorową drukarkę. O ile stanowisko obsługowe systemu wyposażone w monitor nie jest zamontowany w zwartej obudowie urządzenia i stanowi jego integralną całość, to dostawca dostarczy monitor lub monitory LCD o przekątnej minimum 22 cale, odpowiedni stolik i fotel na kołach przystosowane do pracy w pomieszczeniach o podwyższonej czystości, czyli takie które nie są źródłem zanieczyszczeń lub ich nie gromadzą. Wyklucza się wykorzystanie drewna i materiałów pokryciowych z włókna). System powinien być wyposażony w przynajmniej 1 dodatkowy dysk zewnętrzny i oprogramowanie (np. Norton Ghost lub równoważny) do archiwizacji kopii bezpieczeństwa systemu operacyjnego, sterującego, danych procesowych i pomiarowych.
17. Urządzenie powinno być przystosowane do zasilania z sieci energetycznej dostępnej w Polsce:
— Linia energetyczna: 3 fazowa,
— Napięcie: 3 x 400V+/-10 %, AC,
— Częstotliwość: 50Hz.
Warunki dodatkowe:
1. Kompletny, minimum 1, zestaw dokumentacji techniczno ruchowej, opisów technicznych instrukcji obsługi oraz wszystkich procesów technologicznych i pomiarowych oferowanych przez system wykonywanych w języku polskim lub angielskim w tym maksymalnie duża ich część w języku polskim w wersji drukowanej na papierze i w wersji elektronicznej np. na dysku CD.
2. Dostawca dostarczy minimum jeden zestaw zapasowy wszystkich typów wymiennych źródeł światła i bezpieczników.
3. Dostawca zapewni dostępność części zamiennych przez minimum 10 lat od daty uruchomienie systemów DOD i nanoLC, co potwierdzi oświadczeniem na piśmie. Dostawa części zamiennych do ww. systemów będzie się odbywała na warunkach określonych w odrębnej umowie.
4. Dostawca dostarczy na nośniku elektronicznym minimum 1 kopię zapasową kompletnego oprogramowania jednostki centralnej i sterującego systemami DOD i nanoLC wraz z bezterminową licencją dla Zamawiającego na nieograniczone użytkowanie tego oprogramowania przez Zamawiającego w jego siedzibie.
5. Dostawca zapewni bezpłatną aktualizację oprogramowania jednostki centralnej oprogramowania sterującego systemami DOD i nanoLC w okresie minimum 5 lat od daty podpisania protokołu odbioru systemów DOD i nanoLC, co potwierdzi oświadczeniem na piśmie.
6. Dostawca dostarczy minimum jeden zestawu kompletnych instrukcji obsługi oprogramowania.
7. Dostawca zapewni serwis pogwarancyjny systemów DOD i nanoLC w okresie minimum 10 lat od daty instalacji co potwierdzi oświadczaniem na piśmie. Serwis pogwarancyjny systemów będzie się odbywał na warunkach określonych w odrębnej umowie.
8. Dostawca zapewni nieodpłatnie wsparcie techniczne w zakresie dotyczącym eksploatacji i prowadzenia prac z wykorzystaniem systemów DOD i nanoLC w okresie 10 lat od daty podpisania protokołu odbioru co potwierdzi oświadczeniem na piśmie.
Termin
Termin składania ofert wynosił 2011-10-04.
Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2011-08-23.
Kto?
Co?
Historia zamówień
| Data |
Dokument |
| 2011-08-23
|
Ogłoszenie o zamówieniu
|
| 2011-10-07
|
Dodatkowe informacje
|