Dostawa i uruchomienie systemu do trawienia jonowego i nanoszenia cienkich warstw dla Akademickiego Centrum Materiałów i Nanotechnologii (ACMIN) AGH - ZP/0227/2012
1. SYSTEM ma umożliwiać trawienie jonowe (ang. ion beam etching) oraz nanoszenie cienkich warstw Al i Al2O3 na podłoża o średnicy do 2 cali.
2. W skład SYSTEMU powinny wchodzić co najmniej następujące urządzenia/elementy:
— komora wysokiej próżni wraz z układem pompującym zapewniającym uzyskanie próżni nie gorszej niż 1x10 6 mbar,
— komora załadowcza (ang. loadlock) z niezależnym układem pompującym,
— ruchomy uchwyt podłoży wraz z systemem transferu,
— działo jonowe,
— detektor SIMS (ang. secondary ion mass spectrometr) do kontroli procesu trawienia (ang. end point detector),
— źródło magnetronowe z systemem doprowadzenia i kontroli przepływu gazu,
— układ sterujący zawierający konsolę z zainstalowanym oprogramowaniem oraz urządzenia zasilające i sterujące dla komponentów SYSTEMU.
3. Do trawienia powinno być zastosowane działo jonowe przystosowane do pracy z gazami szlachetnymi (Ar, Kr, Xe) o potencjale przyśpieszającym co najmniej 400 V. Działo powinno umożliwiać trawienie 2 calowego podłoża SiO2 z prędkością co najmniej 12 nm/min oraz względną jednorodnością nie gorszą niż 5 % (sigma/mean).
4. Nanoszenie cienkich warstw powinno odbywać się przy użyciu źródła magnetronowego z zasilaczem stałoprądowym o mocy co najmniej 70 W. Szybkość napylania warstwy Al2O3 na podłoże okrągłe o średnicy 2 cali powinna być nie gorsza niż 6 nm/min oraz charakteryzować się jednorodnością względną nie gorszą niż 5 % (sigma/mean). Źródło powinno być wyposażone w automatyczną przesłonę.
5. SYSTEM powinien być przystosowany do rozbudowy (w miejscu jego instalacji) o następujące urządzenia:
— dodatkowe dwa magnetrony o średnicy 2 cali wraz z automatycznymi przesłonami oraz niezależnym doprowadzeniem gazów,
— układ automatycznego sterowania parametrami rozpylania reaktywnego (przepływ gazu i napięcie magnetronu) w oparciu o sprzężenie zwrotne z intensywnością wybranych linii emisyjnych,
— działo jonowe i system napylania pozwalający na zachowanie w/w jednorodności procesów dla podłoży o średnicy 4 cali oraz umożliwiające trawienie reaktywne (ang. reactive ion beam etching).
6. SYSTEM powinien być przystosowany do pracy w pomieszczeniu o podwyższonej czystości powietrza klasy 10000.
7. SYSTEM ma być przystosowany do rozbudowy (w miejscu jego instalacji) o dodatkową komorę analityczną podłączoną do komory załadowczej.
8. Procesy trawienia i nanoszenia warstw muszą być prowadzone w sposób zautomatyzowany z możliwością sterowania ich przebiegiem z terminala podłączonego do sieci internet.
Termin
Termin składania ofert wynosił 2012-05-31.
Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2012-04-20.
Dostawcy
Następujący dostawcy są wymienieni w decyzjach o przyznaniu zamówienia lub innych dokumentach dotyczących zamówień:
Kto?
Co?
Gdzie?
Historia zamówień
| Data |
Dokument |
| 2012-04-20
|
Ogłoszenie o zamówieniu
|
| 2012-04-25
|
Dodatkowe informacje
|
| 2012-05-30
|
Dodatkowe informacje
|
| 2012-09-05
|
Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia
|
| 2012-09-06
|
Dodatkowe informacje
|