Dostawa wielozadaniowej aparatury ultrawysokopróżniowej przeznaczonej do nanoszenia cienkich warstw i układów wielowarstwowych metodą PVD modyfikacji i kompleksowej analizy powierzchni metodami z rodziny spektroskopii fotoelektronów PES oraz mikroskopii skaningowej SPM w ramach Projektu Centrum Nanotechnologii Politechniki Gdańskiej

Politechnika Gdańska

1. Przedmiotem zamówienia jest dostawa oraz montaż Wielozadaniowej aparatury ultrawysokopróżniowej (UHV – ang. Ultra High Vacuum) przeznaczonej do nanoszenia cienkich warstw i układów wielowarstwowych metodą PVD (ang. Physical Vapor Deposition), modyfikacji i kompleksowej analizy powierzchni metodami z rodziny spektroskopii fotoelektronów PES (ang. Photoemission Spectroscopy) oraz mikroskopii skaningowej SPM (ang. Scanning Probe Microscopy).
2. Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia, minimalne parametry techniczne zawiera załącznik nr 7 do SIWZ.
3. Warunki dostawy i montażu:
Wykonawca zobowiązany jest do pisemnego powiadomienia pracownika Zamawiającego wskazanego w umowie – załącznik nr 5 do SIWZ na minimum 7 dni przed planowanym montażem mebli, w przeciwnym wypadku Zamawiający będzie uprawniony do odmowy wstępu na miejsce realizacji zamówienia.
Dostawa zostanie uznana za zrealizowaną w momencie podpisania protokołu odbioru bez zastrzeżeń przez przedstawiciela Wykonawcy i Zamawiającego.
W przypadku stwierdzenia niezgodności dostawy z SIWZ, ofertą lub przygotowanego planu Zamawiający odmówi odbioru. Odbiór odbędzie się m. in. na podstawie warunków odbioru określonych w pkt 4.
Szczegółowe informacje dotyczące warunków odbioru zawarte są we wzorze umowy będącym załącznikiem nr 5 do SIWZ.
4. Warunki podlegające szczególnej ocenie podczas odbioru
Warunki dla układu ultra-wysokiej próżni.
— próżnia mniejsza niż 3∙10-10 mbar (tylko przy odbiorze), w czasie normalnego użytkowania gwarantowana próżnia bazowa uzyskiwana w układzie poniżej 1∙10-10 mbar),
— temperatura uzyskiwana podczas grzania oporowego z układem chłodzenia za pomocą ciekłego azotu w przedziale 140-880K,
— temperatura uzyskiwana podczas grzania wiązką elektronów z układem chłodzenia za pomocą ciekłego azotu w przedziale 140-930K.
Warunki dla układu SPM.
— tryb STM: uzyskanie rozdzielczości atomowej dla Si(111) w temperaturze pokojowej w warunkach ultra wysokiej próżni,
— tryb AFM, tryb kontaktowy: uzyskanie rozdzielczości atomowej dla HOPG w temperaturze pokojowej w warunkach ultra wysokiej próżni,
— tryb AFM, tryb bezkontaktowy: uzyskanie obrazu uskoków atomowych dla Si(111) w temperaturze pokojowej w warunkach ultra wysokiej próżni w przypadku ogrzewania próbki: uzyskanie obrazu uskoków mono-atomowych dla Si(111) w temperaturze 450K w trybie STM.
Warunki dla modułu analitycznego spektroskopii fotoelektronów XPS.
Sygnał XPS dla Ag3d5/2 dla MgKα (300W).
Rozdzielczość FWHM – 0,85 eV.
Natężenie – 2000 kcps.
Moduł wzrostu warstw PVD.
Dostarczenie 2 targetów ITO oraz Zn i naniesienie struktury wielowarstwowej zadanej przez użytkownika.
5. Wykonawca zapewnia gwarancję (min. 24 miesięcy) na warunkach określonych w załączniku nr 7 do SIWZ – szczegółowe informacje zawarte są w załączniku nr 5 do SIWZ- wzorze umowy.
6. Nie dopuszcza się składania ofert wariantowych.
Nie dopuszcza się składania ofert częściowych.

Termin
Termin składania ofert wynosił 2012-10-29. Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2012-09-18.

Kto?

Co?

Gdzie?

Historia zamówień
Data Dokument
2012-09-18 Ogłoszenie o zamówieniu
2012-10-04 Dodatkowe informacje
2012-10-26 Dodatkowe informacje
2012-11-15 Dodatkowe informacje
2012-12-07 Dodatkowe informacje