Budowa i dostawa stanowiska do epitaksji z wiązek molekularnych (MBE-molecular beam epitaxy) związków AIIIBV (w tym supersieci II-iego rodzaju z InAs/GaSb bariery AlGaAs) wraz z kompletem materiałów źródłowych i separatorem faz LN2. Alternatywne źródło zasilania: UPS współpracujący z generatorem prądu

Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Przedmiotem zamówienia jest budowa i dostawa fabrycznie nowej, nieużywanej, aparatury laboratoryjnej do epitaksji warstw półprzewodnikowych spełniającej wymogi technologii Epitaksji z Wiązek Molekularnych (MBE ang. Molecular Beam Epitaxy) wraz z separatorem faz ciekłego azotu (LN2) i alternatywnym źródłem zasilaniem w postaci: UPS-a (ang. Universal Power Supply) zintegrowanego z generatorem prądu. Przed realizacją zamówienia wykonawca dokona przeglądu pomieszczeń i wskaże wymagania techniczne, co do przyłączy (woda, azot, zasilanie) i sposobu instalacji urządzenia.
Aparatura musi składać się z jednego reaktora trójkomorowego składającego się z komory załadowczej, przygotowawczej i komory wzrostu. Wymagany jest standard ultra wysokiej próżni UHV (ang. Ultra High Vacuum). W szczególności układ próżniowy stanowić będzie:
a) Komora wzrostu dla związków AIIIBV, która będzie używana do osadzania warstw: GaSb, AlSb, InAs tworzących niedomieszkowane warstwy, warstwy domieszkowane krzemem (Si) i berylem (Be) lub tellurem (Te), jak również supersieci II rodzaju, zarówno niedomieszkowane jak i domieszkowane, np.: struktury wykorzystujące idee zwane inżynierią przerwy wzbronionej i inżynierią naprężeń, w szczególności studni kwantowych i kropek kwantowych, struktury fotoniczne, w tym kwantowe struktury kaskadowe o optycznych przejściach wewnątrzpasmowych, struktury barierowe, również struktury o dużej ruchliwości nośników bazujące na związkach InAs osadzanych zarówno na podłożach z GaAs jak i na GaSb.
b) Komora przygotowawcza z systemem przechowywania podłoży.
c) Komora załadowcza.
Aparatura MBE musi umożliwiać osadzanie warstw półprzewodnikowych na podłożach krystalicznych wykonanych np. z GaAs lub GaSb o średnicy do 3 cali. Reaktor musi umożliwiać przechowywanie przynajmniej 4 sztuk podłoży o średnicy do 3 cali w warunkach UHV. System montażu podłoży nie może wymagać klejenia indem ani klejenia w żaden inny podobny sposób. System transferu musi umożliwić przenoszenie podłoży między komorami: załadowczą, przygotowawczą (transferową) i wzrostu. Podczas wszystkich etapów technologicznych (transfer, osadzanie) podłoże musi być utrzymywane w pozycji poziomej skierowane stroną epitaksjalną w dół. Wszystkie procesy technologiczne osadzania cienkich warstw muszą być kontrolowane przez komputer PC (sterowanie: temperatury, źródeł molekularnych, przesłony źródeł molekularnych, temperatury grzejników podłoża itd.), sterowany odpowiednim oprogramowaniem oraz dedykowanym układem automatyki.

Termin
Termin składania ofert wynosił 2014-03-24. Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2014-02-21.

Dostawcy
Następujący dostawcy są wymienieni w decyzjach o przyznaniu zamówienia lub innych dokumentach dotyczących zamówień:

• • COMEF Aparatura Naukowo-Badawcza

Kto?

• • Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego

Co?

• • Aparatura kontrolna i badawcza › Maszyny i aparatura badawcza i pomiarowa