Dostawa reaktora do termicznego utleniania powierzchni SiC i densyfikacji warstw w atmosferze o kontrolowanym składzie wraz z wyposażeniem dla Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie
Przedmiotem niniejszego zamówienia jest dostawa fabrycznie nowego
reaktora do termicznego utleniania powierzchni SiC i densyfikacji warstw w atmosferze o kontrolowanym składzie o następujących podstawowych funkcjach:
b) utleniania płytek półprzewodnikowych w atmosferze toksycznych gazów
c) wygrzewania płytek półprzewodnikowych w atmosferze toksycznych i palnych gazów
Temperatura procesu utleniania podłoża powinna być kontrolowana w zakresie do 1100oC. Maksymalna średnica podłoża do 150mm. Wymagania Zamawiającego odnośnie parametrów technicznych urządzenia określa załącznik nr 1 do niniejszej siwz pt. „Szczegółowa charakterystyka przedmiotu zamówienia”.
Termin
Termin składania ofert wynosił 2014-07-03.
Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2014-05-23.
Dostawcy
Następujący dostawcy są wymienieni w decyzjach o przyznaniu zamówienia lub innych dokumentach dotyczących zamówień:
Kto?
Co?
Historia zamówień
| Data |
Dokument |
| 2014-05-23
|
Ogłoszenie o zamówieniu
|
| 2014-09-17
|
Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia
|