Uniwersalna linia technologiczna do badań procesów wytwarzania nanostruktur i prototypów przyrządów półprzewodnikowych, nadprzewodnikowych i metalicznych 4
Przedmiotem zamówienia jest dostawa fabrycznie nowego stanowiska do trawienia związkami chloru ICP-RIE (Inductively-Coupled Plasma for Reactive Ion Etching) (odpowiednie do trawienia GaAs, GaN, Al, Cr, poly-Si) i związkami fluoru (odpowiednie do trawienia Si, SiOx, Nb, poliamidu, związków organicznych) z funkcjonalnością osadzania związków krzemu ICP-PECVD (Inductively-Coupled Plasma – Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition) wchodzącego w skład uniwersalnej linii technologicznej do badań procesów wytwarzania nanostruktur i prototypów przyrządów półprzewodnikowych, nadprzewodnikowych i metalicznych wraz z pełnym wyposażeniem, instalacją, uruchomieniem, testowaniem i szkoleniami.
Termin
Termin składania ofert wynosił 2015-05-07.
Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2015-03-23.
Dostawcy
Następujący dostawcy są wymienieni w decyzjach o przyznaniu zamówienia lub innych dokumentach dotyczących zamówień:
Kto?
Co?
Historia zamówień
| Data |
Dokument |
| 2015-03-23
|
Ogłoszenie o zamówieniu
|
| 2015-05-22
|
Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia
|
| 2015-08-03
|
Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia
|