PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN, InGaN). Sprzęt składa się z konfiguracji 3x2” podłoża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania. Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową. Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne: 1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³). 2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h". 3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h. 4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym. ENGLISH VERSION The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wafer configuration, source material supply control system which includes 8 metalorganic (MO) line systems (at least 6 lines), 2 hydride line systems, a horizontal reactor with a glove-box + a pass-box, a resistance zone heating system, a vacuum pumping system, a full safety system, and a computer measuring and control system. Reactor requires Horizontal Flow channel type, those parts should be structured three parts (upstream, middle and downstream) and middle parts can be replacement for easy maintenance and gas injection should be triple flow Injected to control uniform gas phase. Contractor should supply the following reference data 1. Growth Rate over 2 um/h with low carbon concentration (<1016 cm-3) simultaneously 2. To control high Al content 50 ~ 80% range, keep constant V/III ratio “over 1400” and Growth Rate “over 3 um/h” 3. AlNlayer grown over 15 um/h as Growth Rate 4. *n-, p- doped GaN, AlGaN, InGaN able to growth under atmospheric pressure
Termin
Termin składania ofert wynosił 2024-11-25.
Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2024-10-25.
Ogłoszenie o zamówieniu (2024-10-25) Obiekt Zakres zamówienia
Tytuł: Dostawa dwóch reaktorów do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE).
Numer referencyjny: ZP-261/10/2024
Krótki opis:
“PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION
Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN,...”
Krótki opis
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION
Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN, InGaN). Sprzęt składa się z konfiguracji 3x2” podłoża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania.
Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową.
Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne:
1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³).
2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h".
3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h.
4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym.
ENGLISH VERSION
The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wafer configuration, source material supply control system which includes 8 metalorganic (MO) line systems (at least 6 lines), 2 hydride line systems, a horizontal reactor with a glove-box + a pass-box, a resistance zone heating system, a vacuum pumping system, a full safety system, and a computer measuring and control system.
Reactor requires Horizontal Flow channel type, those parts should be structured three parts (upstream, middle and downstream) and middle parts can be replacement for easy maintenance and gas injection should be triple flow Injected to control uniform gas phase.
Contractor should supply the following reference data
1. Growth Rate over 2 um/h with low carbon concentration (<1016 cm-3) simultaneously
2. To control high Al content 50 ~ 80% range, keep constant V/III ratio “over 1400” and Growth Rate “over 3 um/h”
3. AlNlayer grown over 15 um/h as Growth Rate
4. *n-, p- doped GaN, AlGaN, InGaN able to growth under atmospheric pressure
Pokaż więcej
Rodzaj umowy: Dostawy
Produkty/usługi: Aparatura kontrolna i badawcza📦 Opis
Opis zamówienia:
“PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION
Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN,...”
Opis zamówienia
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION
Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN, InGaN). Sprzęt składa się z konfiguracji 3x2” podłoża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania.
Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową.
Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne:
1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³).
2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h".
3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h.
4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym.
ENGLISH VERSION
The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wafer configuration, source material supply control system which includes 8 metalorganic (MO) line systems (at least 6 lines), 2 hydride line systems, a horizontal reactor with a glove-box + a pass-box, a resistance zone heating system, a vacuum pumping system, a full safety system, and a computer measuring and control system.
Reactor requires Horizontal Flow channel type, those parts should be structured three parts (upstream, middle and downstream) and middle parts can be replacement for easy maintenance and gas injection should be triple flow Injected to control uniform gas phase.
Contractor should supply the following reference data
1. Growth Rate over 2 um/h with low carbon concentration (<1016 cm-3) simultaneously
2. To control high Al content 50 ~ 80% range, keep constant V/III ratio “over 1400” and Growth Rate “over 3 um/h”
3. AlNlayer grown over 15 um/h as Growth Rate
4. *n-, p- doped GaN, AlGaN, InGaN able to growth under atmospheric pressure
Pokaż więcej
Informacje dodatkowe:
“"Data początkowa" z punktu 5.1.3 "Szacowany okres obowiązywania" jest datą orientacyjną terminu podpisania umowy.”
Dodatkowe produkty/usługi: Przyrządy do pomiaru📦
Dodatkowe produkty/usługi: Urządzenia elektroniczne, elektromechaniczne i elektrotechniczne📦
Miejsce wykonania: Warszawski wschodni🏙️
Czas trwania: 12 (MONTH)
Poniższe ramy czasowe wyrażone są w liczbie miesięcy.
Czas trwania
Data rozpoczęcia: 2024-12-12 📅
Informacje o katalogach elektronicznych
Oferty muszą być przedstawione w formie katalogów elektronicznych lub zawierać katalog elektroniczny
Kryteria przyznawania nagród
Cena ✅
Cena (waga): 60
Kryterium jakości (nazwa): Okres gwarancji
Kryterium jakości (waga): 40
Tytuł
Numer identyfikacyjny działki: LOT-0001
Procedura Rodzaj procedury
Procedura otwarta ✅
Procedura przyspieszona:
“Zmawiający na podstawie z art. 138 ust. 4 Ustawy, skraca termin składania ofert do 30 dni od dnia przekazania ogłoszenia o zamówieniu Urzędowi Publikacji...”
Procedura przyspieszona
Zmawiający na podstawie z art. 138 ust. 4 Ustawy, skraca termin składania ofert do 30 dni od dnia przekazania ogłoszenia o zamówieniu Urzędowi Publikacji Unii Europejskiej, gdyż składanie ofert odbywa się w całości przy użyciu środków komunikacji elektronicznej, w sposób określony w art. 63 ust. 1 Pzp.
Pokaż więcej Informacje administracyjne
Termin składania ofert lub wniosków o dopuszczenie do udziału w postępowaniu: 2024-11-25 11:00:00 📅
Warunki otwarcia ofert: 2024-11-25 12:00:00 📅
Warunki otwarcia ofert (miejsce): Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk
ul. Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa
Warunki otwarcia ofert (Informacje o osobach upoważnionych i procedurze otwarcia):
“Otwarcie ofert odbywa się bez udziału wykonawców.
Zamawiający, niezwłocznie po otwarciu ofert, udostępnia na stronie internetowej prowadzonego postępowania...”
Warunki otwarcia ofert (Informacje o osobach upoważnionych i procedurze otwarcia)
Otwarcie ofert odbywa się bez udziału wykonawców.
Zamawiający, niezwłocznie po otwarciu ofert, udostępnia na stronie internetowej prowadzonego postępowania informacje o:
1. nazwach albo imionach i nazwiskach oraz siedzibach lub miejscach prowadzonej działalności gospodarczej albo miejscach zamieszkania wykonawców, których oferty zostały otwarte;
2. cenach lub kosztach zawartych w ofertach.
Pokaż więcej
Języki, w których można składać oferty lub wnioski o dopuszczenie do udziału w postępowaniu: polski 🗣️
Języki, w których można składać oferty lub wnioski o dopuszczenie do udziału w postępowaniu: angielski 🗣️
Minimalne ramy czasowe, w których oferent musi utrzymać ofertę: 90
Informacje prawne, ekonomiczne, finansowe i techniczne Warunki uczestnictwa
Główne warunki finansowania i ustalenia dotyczące płatności i/lub odniesienie do odpowiednich przepisów regulujących je:
“Płatność na konto Wykonawcy nastąpi w następujący sposób:
1. w jednej transzy:100% wartości umowy brutto, po dostawie przedmiotu umowy oraz po dokonaniu...”
Główne warunki finansowania i ustalenia dotyczące płatności i/lub odniesienie do odpowiednich przepisów regulujących je
Płatność na konto Wykonawcy nastąpi w następujący sposób:
1. w jednej transzy:100% wartości umowy brutto, po dostawie przedmiotu umowy oraz po dokonaniu odbioru technicznego, płatne przelewem bankowym w terminie 30 dni na podstawie oryginału prawidłowo wystawionej faktury;
lub
2. w dwóch transzach:
2.1. 20% wartości umowy jako zaliczka. Zaliczka zostanie udzielana w terminie 30 dni w oparciu o fakturę VAT
2.2. 80% wartości umowy brutto po dostawie przedmiotu umowy, płatne przelewem bankowym w terminie 30 dni na podstawie oryginału prawidłowo wystawionej faktury,
Dodatkowe informacje na temat płatności znajdują się w załączniku nr 6 do SWZ.
“1. W celu wykazania, że brak jest podstaw do wykluczenia z postępowania, Wykonawca, którego oferta została najwyżej oceniona, zobowiązany jest złożyć...”
1. W celu wykazania, że brak jest podstaw do wykluczenia z postępowania, Wykonawca, którego oferta została najwyżej oceniona, zobowiązany jest złożyć Jednolity Europejski Dokument Zamówienia ( JEDZ) wzór - Załącznik nr 5 do SWZ. Zgodnie z art. 139 ust 2 Zamawiający żąda powyższego oświadczenia wyłącznie od wykonawcy, którego oferta została najwyżej oceniona. 2. Źródło podstaw wykluczenia - dokumenty zamówienia punkt 5 SWZ.
Pokaż więcej Organ kontrolny
Nazwa: Krajowa Izba Odwoławcza
Krajowy numer rejestracyjny: 010828091
Adres pocztowy: ul. Postępu 17a
Kod pocztowy: 02-676
Miasto pocztowe: Warszawa
Region: Miasto Warszawa🏙️
Kraj: Polska 🇵🇱
E-mail: odwolania@uzp.gov.pl📧
Telefon: +48 224587801📞
Fax: +48 224587800 📠
URL: https://www.uzp.gov.pl/kio🌏 Służba, od której można uzyskać informacje o procedurze odwoławczej
Nazwa: Krajowa Izba Odwoławcza
Krajowy numer rejestracyjny: 010828091
Adres pocztowy: ul. Postępu 17a
Kod pocztowy: 02-676
Miasto pocztowe: Warszawa
Region: Miasto Warszawa🏙️
Kraj: Polska 🇵🇱
E-mail: odwolania@uzp.gov.pl📧
Telefon: +48 224587801📞
Fax: +48 224587800 📠
URL: https://www.uzp.gov.pl/kio🌏 Procedura przeglądu
Dokładne informacje na temat terminu (terminów) procedur odwoławczych:
“1.Środki ochrony prawnej przysługują Wykonawcy lub innemu podmiotowi, jeżeli ma lub miał interes w uzyskaniu zamówienia oraz poniósł lub może ponieść szkodę...”
Dokładne informacje na temat terminu (terminów) procedur odwoławczych
1.Środki ochrony prawnej przysługują Wykonawcy lub innemu podmiotowi, jeżeli ma lub miał interes w uzyskaniu zamówienia oraz poniósł lub może ponieść szkodę w wyniku naruszenia przez Zamawiającego przepisów ustawy pzp.
2.Środki ochrony prawnej wobec ogłoszenia wszczynającego postępowanie o udzielenie zamówienia lub ogłoszenia w konkursie przysługują również organizacjom wpisanym na listę, o której mowa w art. 469 pkt 15 ustawy pzp oraz Rzecznikowi Małych i Średnich Przedsiębiorców.
3.Odwołanie przysługuje na:
3.1 niezgodną z przepisami ustawy pzp czynność Zamawiającego, podjętą w postępowaniu o udzielenie zamówienia, w tym na projektowane postanowienie umowy;
3.2 zaniechanie czynności w postępowaniu o udzielenie zamówienia, do której Zamawiający był obowiązany na podstawie ustawy pzp.
4. Odwołanie wnosi się do Prezesa Krajowej Izby Odwoławczej.
Odwołujący przekazuje kopię odwołania Zamawiającemu przed upływem terminu do wniesienia odwołania w
taki sposób, aby mógł on zapoznać się z jego treścią przed upływem tego terminu.
5.Odwołanie wobec treści ogłoszenia lub treści SWZ wnosi się w terminie 10 dni od dnia publikacji ogłoszenia w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej lub zamieszczenia dokumentów zamówienia na stronie internetowej.
6.Odwołanie wnosi się w terminie:
6.1 10 dni od dnia przekazania informacji o czynności zamawiającego stanowiącej podstawę jego wniesienia, jeżeli informacja została przekazana przy użyciu środków komunikacji elektronicznej;
6.2 15 dni od dnia przekazania informacji o czynności zamawiającego stanowiącej podstawę jego wniesienia, jeżeli informacja została przekazana w sposób inny niż określony w pkt 6.1.
7.Odwołanie w przypadkach innych niż określone w ust. 5 i 6 wnosi się w terminie 10 dni od dnia, w którym powzięto lub przy zachowaniu należytej staranności można było powziąć wiadomość o okolicznościach stanowiących podstawę jego wniesienia
8.Na orzeczenie Krajowej Izby Odwoławczej oraz postanowienie Prezesa Krajowej Izby Odwoławczej, o którym mowa w art. 519 ust. 1 ustawy pzp, stronom oraz uczestnikom postępowania odwoławczego przysługuje skarga do sądu. Skargę wnosi się do Sądu Okręgowego w Warszawie za pośrednictwem Prezesa Krajowej Izby Odwoławczej.
9.Szczegółowe informacje dotyczące środków ochrony prawnej określone są w Dziale IX „Środki ochrony prawnej” ustawy pzp.
Pokaż więcej Informacje o elektronicznych przepływach pracy
Akceptowane będzie fakturowanie elektroniczne
Stosowane będą zamówienia elektroniczne
Stosowana będzie płatność elektroniczna
Źródło: OJS 2024/S 210-652525 (2024-10-25)
Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia (2024-12-10) Udzielenie zamówienia Informacja o nie przyznaniu dotacji
Nie otrzymano żadnych ofert ani wniosków o dopuszczenie do udziału w postępowaniu lub wszystkie zostały odrzucone
Numer identyfikacyjny działki: LOT-0001
Informacje o przetargach
Liczba ofert otrzymanych drogą elektroniczną: 1
Źródło: OJS 2024/S 241-757108 (2024-12-10)