Krótki opis
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION
Przedmiotem zamówienia jest:
Dostawa zestawu dwóch identycznych orientometrów rentgenowskich zaprojektowanych specjalnie do pomiarów podłoży lub kryształów objętościowych, takich jak azotek galu (GaN), węglik krzemu (SiC) i podobnych.
Orientometr rentgenowski – Dwa identyczne urządzenia.
Wymagania dotyczące orientometru rentgenowskiego:
• Orientometr rentgenowski zaprojektowany specjalnie do pomiarów podłoży lub kryształów objętościowych, takich jak azotek galu (GaN), węglik krzemu (SiC) i podobnych.
• Dedykowany termiczny agregat chłodzący do orientometru rentgenowskiego
• Pojedynczy pomiar do przetwarzania podłoży lub kryształów objętościowych.
• Możliwość pomiaru podłoży lub kryształów objętościowych do 110 mm i maksymalnej wadze 25 kg.
• Możliwość pomiaru płaskiego położenia w 4 kierunkach (góra, dół, lewo, prawo).
• Możliwość pomiaru różnych orientacji podłoży i kryształów.
• Pomiar ręczny.
• Pozycja wiązki promieniowania rentgenowskiego w odległości 70 mm od płyty nośnej.
• Dokładność: ±0,02°
• Powtarzalność: < 0,02°
• Wysokość wiązki od podstawy (70 mm)
Powierzchnia pomiarowa :
- Wymiary mniej niż: 1,8 m (szer.) x 1,2 m (gł.) x 1,2 m (wys.)
- Waga: mniej niż 500 kg
Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZ
ENGLISH VERSION
The subject of the order is:
Delivery of a set of two X-ray orientometers specifically designed for measuring substrates or bulk crystals such as gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC) and the like.
X-ray orientometer – two identical devices.
Requirements for X-ray orientometer:
• X-ray orientometer designed especially for wafer or ingot measurements such as gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC) and similar.
• Dedicated thermal cooling unit for X-ray orientometer.
• Single measurement to process wafers or ingots one at time.
• Capable to measure wafer or ingot up to 110mm and maximum weight 25kG.
• Capable to measure flat position in 4 directions (up, down, left, right).
• Capable to measure different wafer and ingot orientation.
• Manual system measurement.
• X-ray beam position at 70mm of the carrier plate.
• Accuracy : ±0,02°
• Repeatability : < 0,02°
• Beam height from base (70 mm)
Footprint :
• Footprint less than : 1,8m (W) x 1,2m (D) x 1,2m (H)
• Weight : less than 500 Kg
A detailed description of the subject of the order can be found in point 3 of the TOR