Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry:
- tranzystory (40 sztuk):
• typu Trench MOSFET
• rozmiar 3 mm x 3 mm
• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)
• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)
• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A
• zapakowane
- tranzystory (80 sztuk):
• typu Trench MOSFET
• rozmiar 3 mm x 3 mm
• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)
• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)
• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A
• zapakowane

Termin
Termin składania ofert wynosił 2023-09-11. Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2023-08-11.

Kto?

Co?

Gdzie?

Historia zamówień
Data Dokument
2023-08-11 Ogłoszenie o zamówieniu
2023-09-02 Dodatkowe informacje
2023-10-12 Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia
Ogłoszenie o zamówieniu (2023-08-11)
Instytucja zamawiająca
Nazwa i adresy
Nazwa: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Krajowy numer rejestracyjny: Regon: 015825134
Adres pocztowy: ul. Sokołowska 29/37
Miasto pocztowe: Warszawa
Kod pocztowy: 01-142
Kraj: Polska 🇵🇱
Osoba kontaktowa: Dariusz Nicia
Telefon: +48 226323628 📞
E-mail: dnicia@unipress.waw.pl 📧
Region: Miasto Warszawa 🏙️
URL: http://www.unipress.waw.pl 🌏
Adres profilu nabywcy: http://www.unipress.waw.pl 🌏
Komunikacja
Dokumenty URL: https://ezamowienia.gov.pl/mp-client/search/list/ocds-148610-bc289b59-34fa-11ee-9aa3-96d3b4440790 🌏
Adres URL uczestnictwa: https://ezamowienia.gov.pl/pl/ 🌏
Rodzaj instytucji zamawiającej
Inny rodzaj: Instytut naukowy

Obiekt
Zakres zamówienia
Tytuł:
“Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN ZP-245/08/2023”
Produkty/usługi: Tranzystory 📦
Krótki opis:
“Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry: -...”    Pokaż więcej

1️⃣
Miejsce wykonania: Miasto Warszawa 🏙️
Główne miejsce lub miejsce wykonywania działalności:
“Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk ul. Sokołowska 29/37 01-142 Warszawa.”
Opis zamówienia:
“Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry: -...”    Pokaż więcej
Kryteria przyznawania nagród
Kryterium jakości (nazwa): Doświadczenie personelu
Kryterium jakości (waga): 40%
Cena (waga): 60%
Czas trwania
Data końcowa: 2025-02-28 📅
Zakres zamówienia
Informacje o funduszach Unii Europejskiej: Umowa nr 101007310 z ECSEL Joint Undertaking (JU)

Informacje prawne, ekonomiczne, finansowe i techniczne
Warunki uczestnictwa
Wykaz i krótki opis warunków:
“Zamawiający nie określa szczegółowych warunków udziału w tym zakresie. 1. O udzielenie przedmiotowego zamówienia mogą ubiegać się Wykonawcy, wobec których...”    Pokaż więcej
Sytuacja gospodarcza i finansowa
Wykaz i krótki opis kryteriów wyboru: Zamawiający nie określa szczegółowych warunków udziału w tym zakresie.
Zdolności techniczne i zawodowe
Wykaz i krótki opis kryteriów wyboru:
“1. Wykonawca spełni warunek jeżeli wykaże, że dysponuje/będzie dysponował co najmniej jedną osobą, która w ciągu ostatnich 8 lat, a jeżeli okres prowadzenia...”    Pokaż więcej
Warunki związane z umową
Warunki realizacji zamówienia:
“Płatność na konto Wykonawcy nastąpi w następujący sposób: w czterech transzach: a) 19% wartości umowy jako zaliczka. Zaliczka zostanie udzielana w terminie...”    Pokaż więcej
Informacje o pracownikach odpowiedzialnych za realizację zamówienia
Obowiązek podania nazwisk i kwalifikacji zawodowych pracowników skierowanych do realizacji zamówienia

Procedura
Rodzaj procedury
Procedura otwarta
Procedura przyspieszona:
“Zamawiający na podstawie z art. 138 ust. 4 Ustawy, skraca termin składania ofert do 30 dni od dnia przekazania ogłoszenia o zamówieniu Urzędowi Publikacji...”    Pokaż więcej
Informacje administracyjne
Termin składania ofert lub wniosków o dopuszczenie do udziału w postępowaniu: 2023-09-11 11:00 📅
Języki, w których można składać oferty lub wnioski o dopuszczenie do udziału w postępowaniu: polski 🗣️
Języki, w których można składać oferty lub wnioski o dopuszczenie do udziału w postępowaniu: angielski 🗣️
Oferta musi być ważna do dnia: 2023-12-09 📅
Warunki otwarcia ofert: 2023-09-11 12:00 📅
Warunki otwarcia ofert (miejsce):
“INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ADRES: UL. SOKOŁOWSKA 29/37, 01-142 WARSZAWA”

Informacje uzupełniające
Informacje o elektronicznych przepływach pracy
Akceptowane będzie fakturowanie elektroniczne
Stosowana będzie płatność elektroniczna
Informacje dodatkowe

“1. Oferta którą składa Wykonawca powinna zawierać: 1.1. Wypełniony formularz oferty - Wzór-zał. nr 1 do SWZ 1.2. Pełnomocnictwo w formie zgodnej z...”    Pokaż więcej
Organ kontrolny
Nazwa: Krajowa Izba Odwoławcza
Adres pocztowy: ul.Postępu 17a
Miasto pocztowe: Warszawa
Kod pocztowy: 02-676
Kraj: Polska 🇵🇱
Telefon: +48 224587801 📞
E-mail: odwolania@uzp.gov.pl 📧
Fax: +48 224587800 📠
URL: http://www.uzp.gov.pl 🌏
Procedura przeglądu
Dokładne informacje na temat terminu (terminów) procedur odwoławczych:
“1.Środki ochrony prawnej przysługują Wykonawcy lub innemu podmiotowi, jeżeli ma lub miał interes w uzyskaniu zamówienia oraz poniósł lub może ponieść szkodę...”    Pokaż więcej
Służba, od której można uzyskać informacje o procedurze odwoławczej
Nazwa: Krajowa Izba Odwoławcza
Adres pocztowy: ul.Postępu 17a
Miasto pocztowe: Warszawa
Kod pocztowy: 02-676
Kraj: Polska 🇵🇱
Telefon: +48 224587801 📞
E-mail: odwolania@uzp.gov.pl 📧
Fax: +48 224587800 📠
URL: http://www.uzp.gov.pl 🌏
Źródło: OJS 2023/S 156-499653 (2023-08-11)
Dodatkowe informacje (2023-09-02)

Informacje uzupełniające
Numer referencyjny ogłoszenia pierwotnego
Numer ogłoszenia w Dz.U. S: 2023/S 156-499653

Zmiany
Tekst, który należy poprawić w pierwotnym ogłoszeniu
Numer sekcji: IV.2.2
Stara wartość
Data: 2023-09-11 📅
Czas: 11:00
Nowa wartość
Data: 2023-09-13 📅
Czas: 11:00
Tekst, który należy poprawić w pierwotnym ogłoszeniu
Numer sekcji: IV.2.6
Stara wartość
Data: 2023-12-09 📅
Nowa wartość
Data: 2023-12-11 📅
Tekst, który należy poprawić w pierwotnym ogłoszeniu
Numer sekcji: IV.2.7
Stara wartość
Data: 2023-09-11 📅
Czas: 12:00
Nowa wartość
Data: 2023-09-13 📅
Czas: 12:00
Źródło: OJS 2023/S 172-539124 (2023-09-02)
Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia (2023-10-12)
Procedura
Informacje administracyjne
Poprzednia publikacja dotycząca tej procedury: 2023/S 156-499653

Udzielenie zamówienia

1️⃣
Tytuł: Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN
Informacja o nie przyznaniu dotacji
Nie otrzymano żadnych ofert ani wniosków o dopuszczenie do udziału w postępowaniu lub wszystkie zostały odrzucone
Źródło: OJS 2023/S 200-627519 (2023-10-12)