Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry:
- tranzystory (40 sztuk):
• typu Trench MOSFET
• rozmiar 3 mm x 3 mm
• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)
• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)
• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A
• zapakowane
- tranzystory (80 sztuk):
• typu Trench MOSFET
• rozmiar 3 mm x 3 mm
• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)
• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)
• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A
• zapakowane

Termin
Termin składania ofert wynosił 2023-09-11. Zamówienie zostało opublikowane na stronie 2023-08-11.

Kto?

Co?

Gdzie?

Historia zamówień
Data Dokument
2023-08-11 Ogłoszenie o zamówieniu
2023-09-02 Dodatkowe informacje
2023-10-12 Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia
Ogłoszenie o zamówieniu (2023-08-11)
Obiekt
Zakres zamówienia
Tytuł: Tranzystory
Numer referencyjny: ZP-245/08/2023
Krótki opis:
“Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry:”
Metadane ogłoszenia
Język oryginału: polski 🗣️
Typ dokumentu: Ogłoszenie o zamówieniu
Rodzaj zamówienia: Dostawy
Regulacja: Unia Europejska, z udziałem krajów GPA
Wspólny słownik zamówień (CPV)
Kod: Tranzystory 📦
Miejsce wykonania
NUTS region: Miasto Warszawa 🏙️

Procedura
Typ procedury: Procedura otwarta
Typ oferty: Wniosek dotyczący wszystkich partii
Kryteria przyznawania nagród
Oferta najbardziej korzystna ekonomicznie

Instytucja zamawiająca
Tożsamość
Kraj: Polska 🇵🇱
Typ instytucji zamawiającej: Inne
Nazwa instytucji zamawiającej: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Adres pocztowy: ul. Sokołowska 29/37
Kod pocztowy: 01-142
Miasto pocztowe: Warszawa
Kontakt
Adres internetowy: http://www.unipress.waw.pl 🌏
E-mail: dnicia@unipress.waw.pl 📧
Telefon: +48 226323628 📞
URL dokumentów: https://ezamowienia.gov.pl/mp-client/search/list/ocds-148610-bc289b59-34fa-11ee-9aa3-96d3b4440790 🌏
URL do udziału: https://ezamowienia.gov.pl/pl/ 🌏

Odniesienie
Daty
Data wysłania: 2023-08-11 📅
Termin składania ofert: 2023-09-11 📅
Data publikacji: 2023-08-16 📅
Data końcowa: 2025-02-28 📅
Identyfikatory
Numer ogłoszenia: 2023/S 156-499653
Numer Dz.U.-S: 156
Informacje dodatkowe

“1. Oferta którą składa Wykonawca powinna zawierać:”
Źródło: OJS 2023/S 156-499653 (2023-08-11)
Dodatkowe informacje (2023-09-02)
Obiekt
Metadane ogłoszenia
Typ dokumentu: Dodatkowe informacje

Odniesienie
Daty
Data wysłania: 2023-09-02 📅
Termin składania ofert: 2023-09-13 📅
Data publikacji: 2023-09-07 📅
Identyfikatory
Numer ogłoszenia: 2023/S 172-539124
Odnosi się do ogłoszenia: 2023/S 156-499653
Numer Dz.U.-S: 172
Źródło: OJS 2023/S 172-539124 (2023-09-02)
Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia (2023-10-12)
Obiekt
Metadane ogłoszenia
Typ dokumentu: Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia

Procedura
Typ oferty: Nie dotyczy

Odniesienie
Daty
Data wysłania: 2023-10-12 📅
Data publikacji: 2023-10-17 📅
Identyfikatory
Numer ogłoszenia: 2023/S 200-627519
Numer Dz.U.-S: 200
Źródło: OJS 2023/S 200-627519 (2023-10-12)