2023-08-11Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN (Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk)
Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry:
- tranzystory (40 sztuk):
• typu Trench MOSFET
• rozmiar 3 mm x 3 mm
• w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN)
• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)
• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia …
Wyświetlenie zamówienia »
2013-03-15Przetarg nieograniczony na sprzedaż, dostawę, montaż, instalację, konfigurację, uruchomienie i przekazanie do... (Politechnika Poznańska)
Przedmiotem umowy jest sprzedaż, dostawa, wyładunek, montaż, instalacja, konfiguracja, uruchomienie i przekazanie do eksploatacji wyposażenia wraz z materiałami eksploatacyjnymi, oprogramowaniem oraz przeprowadzeniem instruktażu stanowiskowego dla dwóch gotowych laboratoriów dla zawodu technik mechatronik w ramach projektu „Czas zawodowców – wielkopolskie kształcenie zawodowe”.
Projekt współfinansowany ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego. Nr POKL. 09.02.00-30-001/12
Wyświetlenie zamówienia »