2014-05-23   Dostawa reaktora do termicznego utleniania powierzchni SiC i densyfikacji warstw w atmosferze o kontrolowanym... (Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych)
Przedmiotem niniejszego zamówienia jest dostawa fabrycznie nowego reaktora do termicznego utleniania powierzchni SiC i densyfikacji warstw w atmosferze o kontrolowanym składzie o następujących podstawowych funkcjach: b) utleniania płytek półprzewodnikowych w atmosferze toksycznych gazów c) wygrzewania płytek półprzewodnikowych w atmosferze toksycznych i palnych gazów Temperatura procesu utleniania podłoża powinna być kontrolowana w zakresie do 1100oC. Maksymalna średnica podłoża do 150mm. Wymagania … Wyświetlenie zamówienia »
Wymienieni dostawcy: ATV Technologie GmbH